适才，佳能宣告新型 2nm 光刻机

发布时间：2025-03-22 07:53:08 来源：にしおかすすみ(西丘进)网 作者：焦点

原问题：适才，适才佳能宣告新型 2nm 光刻机

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源头 ：21ic电子网（ID ：weixin21ic） ，IC老王

最新新闻，宣告新型克日佳能（Canon）宣告了一个名为 FPA-1200NZ2C的光刻纳米压印半导体制作配置装备部署，号称经由纳米压印光刻（NIL）技术实现为了当初开始进的适才半导体工艺。

民间展现，佳能机该技术接管与传统投影曝光技术差距的宣告新型措施组成电路图案 ，未来要扩展该类半导体配置装备部署的光刻阵容来拆穿困绕普遍的市场需要 。

据悉 ，适才NIL 技术可能组成最小线宽为 14nm 的佳能机图案（至关于如今 5nm 节点工艺），而且经由进一步改善掩模，宣告新型还将有可能反对于 10nm 的光刻最小线宽（至关于 2nm 节点工艺） 。

巨匠知道，适才ASML 的佳能机光刻机（EUV）是经由特定光线映射在涂有光刻胶的晶圆上，从而将电路打印到芯片上
，宣告新型本次佳能的配置装备部署则更相似于 “印刷” 而不是 “投影” 。

佳能的 NIL 配置装备部署先是经由将掩模直接压到晶圆的抗蚀剂层上，将电路图残缺地转移以前 。

而后用自家的喷墨技术将过多的抗蚀剂削减到适宜的位置
，最后将掩模印在涂有抗蚀剂的晶圆长进⾏精准曝光。单⼀压印即可组成重大的 2D 或者 3D 电路图。

⽤ NIL 组成的 2D 以及 3D 电路图案

民间称该配置装备部署妄想重大，由于不需要 EUV 的大规模特殊波长光学零星以及真空腔，以是基于 NIL 技术的配置装备部署患上以大幅削减体积。

此外 ，该配置装备部署可⽤更小的功率组成详尽图案 ，比照传统的 EUV 投影曝光配置装备部署在组成图案时对于应的功耗可飞腾至 1/10 ，同时也清晰削减了碳排放。

该配置装备部署的情景操作新技术可抑制外部细颗粒的发生以及传染  ，实现多层半导体制作所需的高精度瞄准，并削减由颗粒引起的缺陷，从而可能组成重大且重大的电路 ，为尖端半导体器件的制作做出贡献。

最后 ，民间称该配置装备部署也可用于半导体器件之外的制作 ，好比用于破费具备数十纳米微妄想的 XR 超透镜等
。

由 NIL 制成具备三维精粗妄想的光学元件

纳米压印（Nanoimprint lithography）最先泛起于 1996 年
，是一种制作纳米级图案的措施 ，具备低老本、高产量以及高分说率的特色 。

鉴于荷兰光刻机巨头 ASML 的一家独大，以前铠侠等一些日本半导体厂商曾经试验运用该技术来交流 EUV，但由于外部颗粒传染、良率过低等下场没能实现商业化 ，看来本次佳能可能处置了这些下场。

工场内的 FPA-1200NZ2C纳米压印光刻配置装备部署

家喻户晓，佳能以相机 、光学配置装备部署或者打印机等产物争先而驰名，但随着半导体以及家养智能等规模的睁开而重新开始看重半导体提供链。

同尼康同样，两者在半导体制作配置装备部署的市场相助中均落伍于 ASML 。2004 年佳能开始进入纳米压印光刻规模，本次宣告半导体配置装备部署也剖析其正在谋求削减与 ASML 的市场差距 。

佳能称该配置装备部署改善掩模后可抵达 2nm 节点工艺
 ，而值患上一提的是
，台积电以及三星代工都妄想将于 2025 年开始量产自己 2nm 工艺芯片
，对于 NIL 配置装备部署事实是否能劫持到 ASML EUV 的市场 ，咱们将刮目相待。返回搜狐，魔难更多

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